產品中心
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OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐，其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據實驗需要而設置（1mm/sec-100mm/s),并可以設置左右反復滑動，同時還可以設置爐體的滑動距離。此款管式爐專門設計用CVD方法定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）。通時此款滑軌爐也可用來在硅片上生長熔點較低的金屬單晶。此系統包含了可設30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。
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SKJ-M50-16 金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設備?？稍谡婵?、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下,在可控的局部壓力狀態下運行。根據金屬的屬性，本設備可采用中頻感應加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱電源。采用歐陸微處理器與熱電偶閉環控制爐溫,使結晶體按照一定的直徑進行控制。
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SKJ-50 晶體生長爐是用提拉法生長高質量氧化物單晶材料（YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的設備。每位材料研究者都知道可靠的數據來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時，為了避免可變因數造成的影響，一臺性能穩定的單晶生長設備是非常必要的，然而很多晶體生長設備是非常昂貴的。沈陽科晶可提供性能穩定，價格適中的SKJ-50 單晶生長爐，可生長多種高熔點氧化物晶體，晶體尺寸達2-3"
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VTF-1600X6 Furnace is vertical tube furnace with 6" diameter one end closed alumina tube and stainless steel flange / ball valve. It is designed for processing advanced material up to 1600oC. The Pr
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我公司研發生產的坩堝下降法生長的單晶爐設備，是一種常用的晶體生長方法又叫布里奇曼晶體生長法。把原料裝在坩堝內，并通過控制加熱爐體緩慢的上升，形成一個溫度梯度，爐溫控制在略高于材料的熔點，在通過加熱區域時，坩堝中的材料被熔融，當爐體持續上升時，坩堝底部材料低于熔點以下，并開始結晶，晶體隨爐體上升而持續長大。這種方法通常擁有金屬單晶雙晶的生長，用于制備堿金屬和堿土金屬鹵化物和氟化物單晶生長等。我公司在
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提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ是用提拉法生長高質量氧化物單晶材料的設備。每位材料研究者都知道可靠的數據來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時，為了避免可變因數造成的影響，一臺性能穩定的單晶生長設備時非常必要的，然而很多晶體生長設備時非常昂貴的?？商峁┬阅芊€定，價格適中的提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ，可生長多種氧化物高熔點晶體，晶體尺寸達 2-3" 。